Американцы создали флэш-память типа 3D NAND

Американцы создали флэш-память типа 3D NAND

Американская компания по производству цифровой памяти Micron Technology заявила о прорыве в области создания флэш-памяти типа 3D NAND.

Новинка позволит оборудовать ноутбуки накопителями с емкостью более 10 ТБ, пишет CNews.
Технология, созданная при участии специалистов Intel, основана на использовании большого числа слоев ячеек, которые наложены друг на друга. Инженерам удалось расположить таким образом 32 слоя. С помощью технологии хранения двух битов данных в одной ячейке они получили чип емкостью 32 ГБ, а для трех битов данных в одной ячейке — чип емкостью 48 ГБ.

Читайте также: Ученые из Google и Санта-Барбары решили главную проблему в создании квантовых компьютеров
«Двухмерная NAND-память близка к своей технологической границе, что становится вызовом для индустрии флэш-памяти. Перспективная технология 3D NAND позволит производителям чипов памяти продолжить следовать закону Мура, обеспечить дальнейший рост производительности и сокращения издержек», — пояснили в Micron.

Производитель заверил, что новые чипы позволят выпускать накопители емкостью 3,5 ТБ размером с жевательную резинку и емкостью более 10 ТБ размером с 2,5-дюймовый диск.Такие показатели в 3-10 превышают нынешние возможности дисков.

Компания надеется, что первые продукты на основе новой технологии будут доступны на рынке уже в 2016 году.